Vishay Intertechnology 650 VE シリーズ パワー MOSFET は業界最低の RDS(ON)*Qg および RDS(ON)*Co(er) FOM を実現

第 4 世代デバイスは、伝導損失とスイッチング損失を低減して効率を向上させながら、高い電力定格と密度を実現します

ペンシルベニア州マルバーン、2023 年 8 月 28 日 (グローブ ニュースワイヤー) -- Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) は本日、通信、産業、電気通信向けに高効率と電力密度を実現する新しい第 4 世代 650 VE シリーズ パワー MOSFET を発表しました。およびコンピューティング アプリケーション。 前世代のデバイスと比較して、Vishay Siliconix n チャネル SiHP054N65E はオン抵抗を 48.2 % 削減しながら、電力変換アプリケーションで使用される 650 V MOSFET の重要な性能指数 (FOM) であるゲート電荷倍の抵抗値が 59 % 低くなります。

Vishay は、高電圧入力から最新のハイテク機器への電力供給に必要な低電圧出力まで、電力変換プロセスのすべての段階をサポートする幅広い MOSFET テクノロジーを提供しています。 同社は、第 4 世代 650 VE シリーズ ファミリの SiHP054N65E およびその他のデバイスを使用して、電力システム アーキテクチャの最初の 2 つの段階、つまり力率改善 (PFC) と後続の DC/ DCコンバータブロック。 典型的なアプリケーションには、サーバー、エッジ コンピューティング、データ ストレージが含まれます。 UPS; 高輝度放電 (H​​ID) ランプおよび蛍光灯安定器照明。 太陽光発電インバータ。 溶接装置; 誘導加熱; モータードライブ。 そしてバッテリー充電器。

Vishay の最新のエネルギー効率の高い E シリーズ スーパージャンクション テクノロジーに基づいて構築された SiHP054N65E は、10 V で 0.051 Ω (代表値) という低いオン抵抗により、2 kW を超えるアプリケーションの電力定格が向上し、デバイスが Open Compute Project の Open Rack V3 ( ORV3) 規格。 さらに、MOSFET は 72 nC までの超低ゲート電荷を実現します。 結果として得られる 3.67 Ω*nC の FOM は、同じクラスの最も近い競合 MOSFET よりも 1.1 % 低く、これにより伝導損失とスイッチング損失が低減され、エネルギーが節約され、効率が向上します。 これにより、デバイスはサーバー電源における特定のチタン効率要件に対処したり、通信電源において 96 % のピーク効率に到達したりすることができます。

PFC、ハーフブリッジ、2 スイッチ フォワード設計などのハード スイッチ トポロジにおけるスイッチング パフォーマンスを向上させるために、本日リリースされた MOSFET は、115 pF および 772 pF という低い標準実効出力容量 Co(er) および Co(tr) を提供します。それぞれ。 このデバイスの抵抗と Co(er) FOM の積は、業界最低の 5.87 Ω*pF です。 TO-220AB パッケージで提供され、dv/dt 耐久性が向上した SiHP054N65E は、RoHS 準拠、ハロゲンフリー、ビシェイ グリーンであり、100 % UIS テストによる制限値が保証されたアバランシェ モードでの過電圧過渡現象に耐えるように設計されています。

SiHP054N65E のサンプルと量産は現在入手可能です。 納期情報については、最寄りの営業所までお問い合わせください。

Vishay は、自動車、産業、コンピューティング、消費者、電気通信、軍事、航空宇宙、医療市場における革新的な設計に不可欠なディスクリート半導体および受動電子部品の世界最大のポートフォリオの 1 つを製造しています。 ビシェイは世界中の顧客にサービスを提供しています。テクノロジーのDNA。 ® Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場されているフォーチュン 1,000 企業です。 Vishay の詳細については、www.Vishay.com をご覧ください。

テクノロジーのDNA® は Vishay Intertechnology の登録商標です。

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製品データシートへのリンク:http://www.vishay.com/ppg?92490 (SiHP054N65E)

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